一、光刻曝光技術的主要流程及每個步驟的意義

光刻工藝主要步驟

1. 基片前處理

為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結合得很好的膜，必須進行表面準備，保持表面干燥且干凈，

2. 涂光刻膠

涂膠的目標是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。

3. 前烘(軟烘焙)

前烘的目的是去除膠層內的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機械擦傷能力。

4. 對準和曝光(A＆E)

保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準確對準，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準確定位或對準。第二步是通過曝光將圖形轉移到光刻膠涂層上。

5. 顯影

顯影是指把掩膜版圖案復制到光刻膠上。

6. 后烘(堅膜)

經顯影以后的膠膜發生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結，必須繼續蒸發溶劑以固化光刻膠。

7. 刻蝕

刻蝕是通過光刻膠暴露區域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉移到晶圓表面。

8. 去除光刻膠

刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。

二、光刻曝光技術的主要流程及每個步驟的意義

光刻工藝主要步驟

1. 基片前處理

為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結合得很好的膜，必須進行表面準備，保持表面干燥且干凈，

2. 涂光刻膠

涂膠的目標是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。

3. 前烘(軟烘焙)

前烘的目的是去除膠層內的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機械擦傷能力。

4. 對準和曝光(A＆E)

保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準確對準，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，第一步是把所需圖形在晶圓表面上準確定位或對準。第二步是通過曝光將圖形轉移到光刻膠涂層上。

5. 顯影

顯影是指把掩膜版圖案復制到光刻膠上。

6. 后烘(堅膜)

經顯影以后的膠膜發生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結，必須繼續蒸發溶劑以固化光刻膠。

7. 刻蝕

刻蝕是通過光刻膠暴露區域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉移到晶圓表面。

8. 去除光刻膠

刻蝕之后，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。

三、苯乙烯及氯乙烯懸浮聚合法的生產工藝及粒子的形成過程有何差別

期待看到有用的回答！

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五、如何計算出漿紗的調漿工藝

要知道是什么品種.然后根據頭份才可以算.一般粗紗只要2袋小粉和油就OK了

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